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按下功率半导体“加速键”

今年市场情形严峻，遇冷的大环境逼着企业纷纷“刀刃向内”，削减冗余，控制成本，甚至无奈大幅裁员。相比市场大多数企业，三菱电机半导体呈现出难得的利好态势：在功率半导体投资扩产和技术布局方面接连传来重磅消息，并确定了以碳化硅为业务增长关键的核心战略——继续研发车载产品、加速研发新一代产品、扩大全球销售。

扩产方面，2023年3月，三菱电机宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。

具体而言，三菱电机计划在2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外，还计划对碳化硅6英寸晶圆工厂（位于日本熊本县合志市）进行扩产，到2026年，碳化硅产能预计会扩大至现在的5倍左右。三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史透露，预计到2030年，三菱电机SiC功率模块营收占比将会提升到30%以上。

市场方面，作为三菱电机的核心优势产品，三菱电机自1994年以来一直在研发 SiC 相关技术及模块，并在全球率先将其安装在变频空调和高速列车中。截止到2022年底，在全球有超过2千6百万辆汽车的电驱系统使用了三菱电机的硅基和碳化硅基车载功率器件。

据悉，在功率模块领域，三菱电机在全球市占率中排名。其中，消费类电子用智能功率模块（Intelligent Power Module）市占率全球，轨道牵引用全碳化硅功率模块市占率也是全球。赤田智史进一步提到，三菱电机会把业务增长重点放在新能源汽车领域和消费电子领域，同时保持工业、可再生能源和铁路牵引领域等应用的资源投放。

技术方面，三菱电机拥有多种技术，如在外延、工艺等方面的高质量化合物半导体技术、利用自主研发沟槽(Trench)结构SiC-MOSFET所实现的低功耗芯片技术、业界的小型化与轻量化模块技术等。三菱电机功率器件制作所首席技术顾问Gourab Majumdar 博士也在发布会上就三菱电机的技术进展做了充分的补充，包括硅基和碳化硅基两个方面。

以硅基芯片为例，三菱电机研发的硅基IGBT芯片从第3代IGBT到现在第7代IGBT，面积越来越小，每一代IGBT的损耗也在不断降低。当前，三菱电机已经推出采用更精细结构概念、更新工艺技术的新型RC-IGBT芯片。据悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散热，以减少热阻,其损耗也比传统的RC-IGBT降低了50%左右。

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