适应面广 IC693MDL241 以太网模块










适应面广 IC693MDL241 以太网模块
| IC200ACC304 | IC200ALG263 | IC200CBL510 |
| IC200ACC313 | IC200ALG264 | IC200BEM002 |
| IC200DEM001 | IC200ALG264CA | IC200BEM002CA |
| IC200ALG230 | IC200ALG265 | IC200BEM003 |
| IC200ALG230CA | IC200ALG266 | IC200BEM103 |
| IC200ALG240 | IC200ALG266CA | IC200DBI001 |
| IC200ALG240CA | IC200ALG620 | IC200EBI001 |
| IC200ALG260 | IC200ALG620CA | IC200PBI001 |
| IC200ALG261 | IC200ALG630 | IC200SET001 |
| IC200ALG262 | IC200ALG430 | IC200CPU001 |
| IC200ALG262CA | IC200ALG431 | IC200CPU001LT |
| IC755CBS12CDB | IC200ALG432 | IC200CPUE05 |
| IC755CBS15CDA | IC200ALG320 | IC200CPUE05CA |
| IC755CBW07CDA | IC200ALG320CA | IC200MDL140 |
| IC755CKS06RDM | IC200ALG321 | IC200MDL141 |
| IC755CKS06RDMEP | IC200ALG322 | IC200MDL143 |
| IC755CKS10CDMEP | IC200ALG325 | IC200MDL240 |
| IC755CKS12CDMEP | IC200ALG325CA | IC200MDL241 |
| IC755CKS15CDMEP | IC200ALG326 | IC200MDL241CA |
| IC755CKW07CDM | IC200ALG327 | IC200MDL243 |
| IC755CKW07CDMEP | IC200ALG328 | IC200MDL243CA |
| IC755CKW10CDM | IC200ALG331 | IC200MDL631 |
| IC755CKW12CDM | IC200ALG331CA | IC200MDL632 |
| IC755CKW15CDM | IC200CBL001 | IC200MDL635 |
| IC755CSS06RDA | IC200CBL002 | IC200MDL636 |
| IC755CSS06RDACA | IC200CBL105 | IC200MDL640 |
| IC755CSS10CDA | IC200CBL110 | IC200MDL640CA |
| IC755CSS10CDACA | IC200CBL120 | IC200MDL643 |
| IC755CSS12CDB | IC200CBL230 | IC200MDL644 |
| IC755CSS12CDBCA | IC200CBL501 | IC200MDL650 |
| IC755CSS15CDA | IC200CBL600 | IC200MDL650CA |
| IC755CSS15CDACA | IC200CBL601 | IC200MDD840 |
| IC755CSW07CDA | IC200CBL602 | IC200MDD840CA |
| IC755CSW07CDACA | IC200CBL615 | IC200MDD841 |
| IC200ACC302 | IC200CBL500 | IC200MDD841CA |
| IC200ACC303 | IC200CBL505 | IC200MDD842 |
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中科融合是一家国际的先进光学智能传感器芯片企业,是国内唯一拥有自主研发“MEMS芯片+SOC芯片+核心算法”,并且提供完整的AI+3D芯片以及模组产品的创新型高新技术企业。MEMS激光微振镜投射芯片是实现动态结构光条纹投影的核心部件。
中科融合自主开发了全套工艺,良率高,核心参数国内,在国际上具有竞争力。而MEMS的质量(鲁棒性以及耐久性)则会受到其从设计到迭代的技术寿命中每一步的影响,强化MEMS研发过程质量管控对提高产品的质量有着至关重要的作用,以下将对MEMS质量影响因素进行总结:
PART01 技术类型
中科融合在设计关于应用在光学智能传感的MEMS以及流片之前,首先考虑此MEMS芯片设计以及制程需要基于什么技术类型,从制程的类型上来说,可以大致分为以下两种:
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Bulk micromachining
Surface micromachining
Bulk Micromachining是一种通过光刻/蚀刻等步骤在材料内部生成结构的方法,其典型代表为SOI制程,它的好处是,MEMS的材料性质与结构尺寸主要由使用的晶圆材料构成,因此拥有较低的原生应力(intrinsic stress)、较低的材料缺陷以及相对更准确的尺寸控制,进而拥有更好的鲁棒性与耐久性。但缺点是,每一种设计都需要重新定制流片过程,因此大批量生产需要投入较多的人力物力确保良率以及性能一致性。

典型SOI制程
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